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Si8460/61/62/63
Table 9. IEC 60747-5-2 Insulation Characteristics for Si84xxxB*
Parameter
Maximum Working Insulation Voltage
Symbol
V IORM
Test Condition
Characteristic
560
Unit
V peak
Input to Output Test Voltage
V PR
Method b1
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
Partial Discharge < 5 pC)
1050
V peak
Transient Overvoltage
V IOTM
t = 60 sec
4000
V peak
Pollution Degree (DIN VDE 0110, Table 1)
2
Insulation Resistance at T S , V IO = 500 V
R S
>10 9
?
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si84xx provides a climate classification of
40/125/21.
Table 10. IEC Safety Limiting Values 1
Parameter
Case Temperature
Safety input, output, or
supply current
Device Power Dissipation 2
Symbol
T S
I S
P D
Test Condition
? JA = 105 °C/W (NB SOIC-16),
V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C
Min
—
—
—
Typ
—
—
—
Max
NB SOIC-16
150
215
415
Unit
°C
mA
mW
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure; also see the thermal derating curve in Figure 2.
2. The Si846x is tested with VDD1 = VDD2 = 5.5 V, TJ = 150 oC, CL = 15 pF, input a 150 Mbps 50% duty cycle square
wave.
18
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